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第34章 不抢就换（第1页）

陈进一想到张云似乎並非技术工程师的身份，还是耐心的解释了：

“这台ssa60020採用的是193nm氟化氬深紫外光源。

它的曝光波长达到了28纳米，採用沉浸式光刻技术。

配合我们自研的双工作檯系统，每小时能完成120片晶圆的曝光作业，套刻精度控制在3纳米以內。

它的光源系统用了我们自己研发的准分子雷射器，稳定性比进口设备提升了15%。

而且重点零部件国產化率超过80%。

当然，和国际顶尖的5纳米光刻机比，还有差距。

但这已经是我们目前能拿出的最好成果了。

目前，我们还在集中攻克7纳米製程的量產问题。”

陈进一的话有些无奈，龙国的半导体行业，尤其是光刻机技术还是太落后了些。

谁都知道半导体领域想要突破，核心中的核心就是光刻机。

如今龙国大部分高端晶片，都需要依赖进口生產。

而且存在技术专利的问题，每年都要上一大笔授权费用。

眼前这台机子已经是好几年前的產物了，光是7纳米级別的生產就已经卡了他们许多年。

张云听完后，紧接著问道：

“它在七纳米以下的製程上有什么问题吗？”

陈进一没想到他会直接问出这个问题，愣了一下才回答：

“问题还不少，主要是在多重曝光的叠加误差上。

duv的波长是193nm，从根本上限制了解析度的理论上限。

目前28纳米波长要实现7纳米製程，需要进行4次曝光。

但每次曝光的定位误差会累积，目前最多只能稳定在9纳米左右，离量產要求的7纳米还有距离。”

严正行听到这里，嘆了口气，心里摇了摇头。

这就是他当初为什么离开龙国的原因了。

和世界顶尖的光刻机相差数代的技术，要怎么靠努力去追赶？

但靠张云可以呀！

张云等人此次前来的目的，自然是为了解决晶片生產问题，使其能够在战备状態下提供应有的支持。

不过张云还没有天真到，认为能几个月时间就造出一台超越euv光刻机的东西。

虽然张云的脑中確实有全套光刻机的生產技术。